品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
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功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：48nC@10V
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连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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功率：12.5W
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连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：22A
导通电阻：15mΩ@9A，10V
类型：P沟道
功率：12.5W
输入电容：2783pF@20V
栅极电荷：48nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：22A
导通电阻：15mΩ@9A，10V
类型：P沟道
功率：12.5W
输入电容：2783pF@20V
栅极电荷：48nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
