品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
类型:N沟道
栅极电荷:9.8nC@4.5V
阈值电压:2.3V@100µA
输入电容:820pF@15V
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
类型:N沟道
栅极电荷:9.8nC@4.5V
阈值电压:2.3V@100µA
输入电容:820pF@15V
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货