品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
