品牌
    类型
    栅极电荷
    阈值电压
    类型: 1个N沟道
    栅极电荷: 10nC@10V
    阈值电压: 2V@1mA
    当前匹配商品:5
    商品信息
    参数
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数1005000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数1005000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数6000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数6000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:10nC@10V

    连续漏极电流:1.9A

    漏源电压:30V

    功率:830mW

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1A

    阈值电压:2V@1mA

    工作温度:-65℃~+150℃

    输入电容:190pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月17日前
    - +
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