品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
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功率：270W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
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类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：FDA24N50F
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输入电容：4310pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
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类型：N沟道
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漏源电压：500V
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功率：270W
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工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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导通电阻：200mΩ@12A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
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栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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