品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：60W
连续漏极电流：3A
阈值电压：4.4V@1mA
输入电容：280pF@25V
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
