销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2010pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：49nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：3mΩ@20A，10V
连续漏极电流：22A€70A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2010pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：49nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：3mΩ@20A，10V
连续漏极电流：22A€70A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD508
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：22A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
