品牌
    类型
    漏源电压
    30V
    行业应用
    包装方式
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 8.2A€46A
    当前匹配商品:7
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":668206}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订1603个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":668206}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订1603个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C810NAT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW€23.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.88mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C810NAT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW€23.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.88mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订7500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C810NAT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW€23.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.88mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    3月19日前
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