品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
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功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
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输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
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功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
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功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
连续漏极电流：60A
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功率：27.8W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
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