品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-40MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-40MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
