品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN120JDQ3
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT25GN120SG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：280ns
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：155nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：387，"13+"：70，"16+"：30，"MI+"：4500}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N120LWG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：72ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：160nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：414}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH25N120FTDS
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：151ns
反向恢复时间：535ns
关断损耗：1.16mJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：169nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，25A
导通损耗：1.42mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT25GN120SG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：280ns
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：155nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：387，"13+"：70，"16+"：30，"MI+"：4500}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N120LWG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：72ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：160nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT100GN120B2G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：615ns
关断损耗：9.5mJ
开启延迟时间：50ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：540nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，100A
导通损耗：11mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN120JDQ3
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：3054，"9999"：8，"MI+"：2280}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB30N120IHSWG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：210ns
关断损耗：1mJ
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：3054，"9999"：8，"MI+"：2280}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB30N120IHSWG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：210ns
关断损耗：1mJ
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT100GN120B2G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：615ns
关断损耗：9.5mJ
开启延迟时间：50ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：540nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，100A
导通损耗：11mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：387，"13+"：70，"16+"：30，"MI+"：4500}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N120LWG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：72ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：160nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：255}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH25N120FTDS
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：151ns
反向恢复时间：535ns
关断损耗：1.16mJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：169nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，25A
导通损耗：1.42mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：387，"13+"：70，"16+"：30，"MI+"：4500}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N120LWG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：72ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：160nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：387，"13+"：70，"16+"：30，"MI+"：4500}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N120LWG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：72ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：160nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：414}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH25N120FTDS
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：151ns
反向恢复时间：535ns
关断损耗：1.16mJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：169nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，25A
导通损耗：1.42mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH25N120FTDS
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：151ns
反向恢复时间：535ns
关断损耗：1.16mJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：169nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，25A
导通损耗：1.42mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N120LWG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：72ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：160nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N120LWG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：72ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：160nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH25N120FTDS
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：151ns
反向恢复时间：535ns
关断损耗：1.16mJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：169nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，25A
导通损耗：1.42mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT100GN120B2G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：615ns
关断损耗：9.5mJ
开启延迟时间：50ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：540nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，100A
导通损耗：11mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT150GN120J
包装方式：管件
输入电容：9.5nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT100GN120B2G
工作温度：-55℃ ~ 150℃
开启延迟时间：50ns
导通损耗：11mJ
关断延迟时间：615ns
类型：沟槽型场截止
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：540nC
集电极脉冲电流(Icm)：300A
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，100A
包装方式：管件
关断损耗：9.5mJ
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN120JDQ3
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
输入电容：4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
