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    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    类型: 1个P沟道
    功率: 500mW
    连续漏极电流: 1.1A
    当前匹配商品:1
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    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:500mW

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1.1A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:200mΩ@10V,1.3A

    栅极电荷:4.4nC@5V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月25日前
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