品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：5994}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
栅极电荷：8.2nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：3.6A
输入电容：250pF@25V
功率：2.5W€25W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
功率：1.3W
栅极电荷：12nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：600mV@250µA
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：600mV@250µA
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
