工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 24A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):750psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDQ60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:416W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB150N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1999pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":154}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB150N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1985pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6266E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP125N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP125N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP125N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:181W

    阈值电压:4.5V@2.4mA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订89个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订89个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC500N20NS3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC500N20NS3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@60µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@22A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):750psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDQ60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:416W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订2000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订2000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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