销售单位:个
规格型号(MPN):STB13N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STB13N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
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功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
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功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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栅极电荷:29nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
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功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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