品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
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输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
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栅极电荷：49nC@10V
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输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
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阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
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输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：49nC@10V
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