品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
