品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K116TU，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K116TU，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3K116TU，LF
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功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
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输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
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库存：有货
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功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
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输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
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输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
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功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
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功率：500mW
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连续漏极电流：2.2A
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连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
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功率：500mW
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连续漏极电流：2.2A
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连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
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导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
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连续漏极电流：2.2A
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导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
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