品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K122TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K122TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2A
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导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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漏源电压：20V
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：2A
栅极电荷：3.4nC@4V
导通电阻：123mΩ@1A，4V
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：195pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2A
栅极电荷：3.4nC@4V
导通电阻：123mΩ@1A，4V
功率：500mW
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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