品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：8.2nC@8V
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连续漏极电流：4.6A
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导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
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漏源电压：20V
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功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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漏源电压：20V
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功率：830mW
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输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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类型：1个P沟道
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漏源电压：20V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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