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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT67M8LPSW-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT67M8LPSW-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@30V

    连续漏极电流:17.3A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2nF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.16W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1103pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.16W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1103pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18.9nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1103pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT67M8LPSW-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT67M8LPSW-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@30V

    连续漏极电流:17.3A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LPS-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LPS-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.16W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1103pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7430LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1281pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LSS-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LSS-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H3D5L-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H3D5L-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LT-13 起订66个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LT-13 起订66个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:821nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H3D5L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H3D5L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-13 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-13 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订72个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3015SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1276pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D9L-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D9L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:335mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFVW-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFVW-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT35M4LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:982pF@15V

    连续漏极电流:16A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW€1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
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