品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117G
集射极击穿电压(Vceo):100V
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包装方式:管件
晶体管类型:PNP
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库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117-1G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
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集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
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晶体管类型:PNP
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库存:有货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
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晶体管类型:PNP
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库存:有货
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销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
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品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
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销售单位:个
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品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
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品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
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集射极击穿电压(Vceo):100V
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品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117-1G
集射极击穿电压(Vceo):100V
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销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):20µA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
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晶体管类型:PNP
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库存:有货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
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工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
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晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
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库存:有货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
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晶体管类型:PNP
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库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):MJD127G
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
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特征频率:4MHz
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库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):10µA
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工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
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库存:有货
生产批次:{"15+":62090,"16+":89691}
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规格型号(MPN):MJD117-1G
集射极击穿电压(Vceo):100V
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品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117G
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晶体管类型:PNP
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库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
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特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
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工作温度:65℃~150℃
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库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117-1G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):20µA
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工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
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晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):10µA
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工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD127G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
生产批次:2330
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD117G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货