品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
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库存：有货
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
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输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
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类型：N沟道
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功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
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连续漏极电流：40A
类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
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连续漏极电流：40A
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
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功率：260W
导通电阻：64mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
连续漏极电流：40A
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
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输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
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输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
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导通电阻：64mΩ@20A，10V
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输入电容：3745pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
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库存：有货
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
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