销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD112T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：20μA
特征频率：25MHz
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD112T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：20μA
特征频率：25MHz
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TIP120G
集电极电流(Ic)：5A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，3A
晶体管类型：NPN
包装方式：管件
集电集截止电流(Icbo)：500μA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：2W
工作温度：-65℃~+150℃
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@5A，20mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP120G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@5A，20mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD112T4G
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A
特征频率：25MHz
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：20μA
工作温度：-65℃~+150℃
集射极击穿电压(Vceo)：100V
功率：20W
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP110G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP110G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP110G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6387G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：10A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@10A，100mA
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP120G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@5A，20mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP110G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJE5742G
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：8A
功率：2W
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@8A，400mA
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@5V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP120G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@5A，20mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJE5742G
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：8A
功率：2W
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@8A，400mA
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@5V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TIP110G
晶体管类型：NPN
包装方式：管件
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA
工作温度：-65℃~+150℃
集电集截止电流(Icbo)：2mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，1A
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@4V，2A
集电集截止电流(Icbo)：10μA
功率：1.75W
集电极电流(Ic)：4A
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA
工作温度：-65℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
