品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
功率：26W
类型：N沟道
输入电容：360pF@50V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：15.1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
功率：26W
类型：N沟道
输入电容：360pF@50V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：15.1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
功率：26W
类型：N沟道
输入电容：360pF@50V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：15.1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
功率：26W
类型：N沟道
输入电容：360pF@50V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：15.1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
