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    晶体管类型
    栅极电荷
    42nC@10V 17 nC @ 10 V 104nC@10V 33nC@10V 12nC 17nC@5V 134nC@10V 10.5nC@10V 150nC 26nC@10V 39nC@10V 90nC@10V 20nC@4.5V 92nC@10V 19.5nC@10V 31nC@5V 15.3nC@10V 8.6nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 33.3nC@10V 57nC 56nC 13nC@10V 13nC@5V 4.5nC@10V 22nC@10V 130nC@10V 31nC@10V 17nC 125nC@10V 30nC@10V 40nC@10V 106nC@10V 118nC@10V 95nC@10V 204nC@10V 13.7nC@10V 182nC@10V 72.5nC@10V 6.5nC@5V 19nC 30nC@4.5V 53nC 6.5nC@4.5V 112nC@10V 7nC@10V 18nC 29.7nC@10V 7.7nC@10V 9nC@10V 10nC@5V 8.7nC@10V 47nC@5V 53nC@4.5V 13.5nC@10V 40nC@5V 110nC@4.5V 65nC@10V 73nC 15nC@4.5V 23nC 233nC@10V 11.7nC@10V 13.6nC 226nC 6.4nC@10V 34nC@10V 45nC 6nC@5V 43.6nC@10V 64nC@5V 16.7nC@10V 9nC@5V 23nC@10V 28nC@5V 10nC@4.5V 90nC 103nC@10V 28nC@10V 102nC 57nC@10V 63 nC @ 10 V 142nC@10V 5nC@10V 155nC@10V 18nC@10V 29.5nC@10V 420nC 150nC@10V 5.3nC@10V 203nC@10V 91nC@10V 35nC 62nC@10V 98nC@10V 82nC@10V 87nC@10V 12nC@4.5V 84nC@10V 17nC@4.5V 58nC@10V 52nC@10V 115nC 37nC@10V 73nC@10V 55nC 9.5 nC @ 10 V 183nC@10V 42nC@4.5V 8nC@10V 152nC@10V 9.5nC@10V 20.5nC@10V 34nC@4.5V 3nC@10V 80nC@10V 5.7nC@10V 11nC@10V 6nC@4.5V 75nC@10V 12.4nC@10V 52nC@5V 25.9nC@10V 15nC@10V 189nC 125nC 85nC@10V 41nC@10V 53nC@10V 122nC@10V 51nC@10V 16.8nC@10V 25nC@10V 64nC@10V 121nC@10V 28nC 160nC@10V 67nC 120nC@10V 306nC 66nC@10V 19nC@10V 37nC@4.5V 200nC@10V 143nC@10V 220nC@10V 180nC@10V 85nC 78.6nC@10V 89.3nC@10V 124nC@10V 17nC@10V 56nC@10V 334nC 16nC 230nC@10V 24nC 66nC@4.5V 24.5nC@10V 100nC@10V 117nC@10V 14.1nC@10V 14nC@10V 20nC@10V 18nC@4.5V 88nC@10V 3.6nC@4.5V 29nC@4.5V 153nC 27nC@10V 59nC@10V 60.5nC@10V 44nC@10V 102nC@10V 32nC@10V 240nC@10V 6.2nC@10V 45nC@4.5V 60nC@10V 10nC@10V 29nC 115nC@10V 27nC@4.5V 21nC@10V 14nC@5V 350nC@10V 21.5nC@10V 44.3nC@10V 10.3nC@10V 29.3nC@10V 210nC 36nC@10V 80nC 163nC 149nC 46nC@10V 46nC 22.7nC@10V 43nC 81nC 61nC@10V 45.5nC@10V 55nC@10V 116nC 93nC@10V 189nC@10V 8.8nC@10V 47nC@10V 42nC 70nC@10V 80.4nC@10V 110nC 11.8nC@10V 96nC@10V 12.5nC@10V 127nC@10V 3.7nC@10V 4.6nC@4.5V 40nC@4.5V 68nC@10V 2.63nC@10V 126nC 35nC@10V 45nC@10V 89nC@10V 12nC@5V 33nC@4.5V 62.5nC@10V 4.6nC@5V 158nC 44.2nC@10V 50nC@10V 7.8nC@10V 27nC@5V 72nC@10V 190nC@10V 100nC 16.5nC@10V 900pC@10V 29nC@10V 56.5nC@10V 68nC 3.4nC@10V 32nC 71nC@10V 43nC@10V 16nC@10V 22.5nC@10V 24nC@10V 164nC@10V 48nC@10V 54nC@10V 6.9nC@10V 110nC@10V 63nC 30 nC @ 4.5 V 15.2nC 52.6nC@10V 16.9nC@10V 26nC 313nC 330nC@10V 9.8nC@10V 96nC 114.6nC@10V 434nC@10V 207nC 7.5nC@10V 33nC 162nC@10V 187nC 109nC@10V 256nC@10V 414nC 193nC@10V 414nC@10V 94nC@18V 34.4nC 25.7nC@10V 99nC@10V 288nC 266nC@10V 218nC@10V 46.8nC@10V 119nC@10V 11.5nC@4.5V 52.5nC@10V 17.3nC@10V 151nC 13.4nC@10V 63nC@18V 172nC@10V 24.6nC@10V 105nC 24nC@4.5V 65.2nC@10V 56nC@5V 17.4nC@10V 176nC@10V 448nC 363nC@10V 21.2nC 22nC@4.5V 114nC 30.8nC@10V 68.2nC@10V 194nC 41.5nC@10V 90nC@5V 19.2nC 74.9nC@10V 340nC@10V 0.9nC@10V 7.5nC@5V 64nC@4.5V 150nC@18V 65.5nC@10V 33.4nC@10V 157nC@18V 105nC@20V 45nC@20V 136nC@5V 73nC@20V 13.3nC@20V 122nC@20V 377nC@10V 39.5nC@18V 90nC@4.5V 22nC@20V 61nC@18V 162nC@18V 29nC@18V
    反向传输电容
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    集电极截止电流(Ices)
    品牌: ST
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1.2万+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW5NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1154pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订30个装
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW30M65DF2

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:115ns

    反向恢复时间:140ns

    关断损耗:960µJ

    开启延迟时间:31.6ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:80nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,30A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9000pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW13NK60Z 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STW13NK60Z 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW13NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW20NC60VD 起订1个装
    ST IGBT STGW20NC60VD 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW20NC60VD

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):150A

    关断延迟时间:100ns

    反向恢复时间:44ns

    关断损耗:330µJ

    开启延迟时间:31ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:100nC

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A

    导通损耗:220µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB80NF55-08AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB80NF55-08AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB80NF55-08AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3740pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N90K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N90K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@100µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1597pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA70N120G2V-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA70N120G2V-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:547W

    阈值电压:4.9V@1mA

    栅极电荷:150nC@18V

    包装方式:散装

    输入电容:3540pF@800V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@50A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW30H65FB 起订1个装
    ST IGBT STGW30H65FB 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW30H65FB

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:146ns

    关断损耗:293µJ

    开启延迟时间:37ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:149nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,30A

    导通损耗:151µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP10N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFH10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGF5H60DF 起订4个装
    ST IGBT STGF5H60DF 起订4个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGF5H60DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):20A

    关断延迟时间:140ns

    反向恢复时间:134.5ns

    关断损耗:78.5µJ

    开启延迟时间:30ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:43nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A

    导通损耗:56µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGP5H60DF 起订2个装
    ST IGBT STGP5H60DF 起订2个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGP5H60DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):20A

    关断延迟时间:140ns

    反向恢复时间:134.5ns

    关断损耗:78.5µJ

    开启延迟时间:30ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:43nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A

    导通损耗:56µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP11NM60

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTL90N65G2V 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTL90N65G2V 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTL90N65G2V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:935W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:157nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:24Ω@40A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB60NF06LT4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGP6NC60HD 起订5个装
    ST IGBT STGP6NC60HD 起订5个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGP6NC60HD

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):21A

    关断延迟时间:76ns

    反向恢复时间:21ns

    关断损耗:68µJ

    开启延迟时间:12ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:13.6nC

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,3A

    导通损耗:20µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD8N60DM2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD8N60DM2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD8N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60-1 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60-1 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD1NK60-1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:156pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@100V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订1个装
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW30M65DF2

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:115ns

    反向恢复时间:140ns

    关断损耗:960µJ

    开启延迟时间:31.6ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:80nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,30A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STWA32N65DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STWA32N65DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STWA32N65DM6AG

    功率:320W

    连续漏极电流:37A

    导通电阻:97mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL320N4LF8 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL320N4LF8 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL320N4LF8

    功率:188W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:360A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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