品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW5NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1154pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP150N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW13NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW20NC60VD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:44ns
关断损耗:330µJ
开启延迟时间:31ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:100nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:220µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF55-08AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3740pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30H65FB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:146ns
关断损耗:293µJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:151µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF5H60DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP5H60DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL90N65G2V
工作温度:-55℃~175℃
功率:935W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:157nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:24Ω@40A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP6NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):21A
关断延迟时间:76ns
反向恢复时间:21ns
关断损耗:68µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13.6nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,3A
导通损耗:20µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA32N65DM6AG
功率:320W
连续漏极电流:37A
导通电阻:97mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL320N4LF8
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:360A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: