品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:767pF@10V
连续漏极电流:8.5A€7A
类型:N和P沟道
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FP75R12N2T7PB11BPSA1
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:15.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80P03P4L04AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N10S305AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9952TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.5A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:270mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0103MN,135
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):7mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):3mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y59-60E,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:37W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@25V
连续漏极电流:16.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):50mA
工作温度:-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MMRF5017HSR5
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,8.4A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2P40TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.56A
类型:1个P沟道
导通电阻:6.5Ω@780mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL40SC209
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:267nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.27nF@25V
连续漏极电流:478A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.8mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@10V,1.9A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":16061,"MI+":720}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW50R140CPFKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:192W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 930µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2540 pF @ 100 V
连续漏极电流:23A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:140 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:晶闸管
行业应用:其它
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
类型:晶闸管
包装方式:Reel
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD09P10-195-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€32.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:34.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.055nF@50V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:195mΩ@10,3.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7380TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:73mΩ@10V,2.2A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5Ω@10V,100mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R099P7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:117W
阈值电压:4V@530μA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.952nF@400V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":195,"17+":178}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3481-Z-AZ
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: